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25:(1)帶電粒子在水平方向微勻速直線運(yùn)動(dòng)，設(shè)運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t,則有1=上=3×10's,當(dāng)粒了由mT(0,12,3,…)時(shí)刻進(jìn)入電場，向下側(cè)移最大，豎直方向-79T=035m>號，取y0.25m,當(dāng)粒子山1=m7+2718dm3(n0,12,3…)時(shí)刻進(jìn)入電場，向上側(cè)移最大，乃=%？2dm 39%T.0.05m,在距離0，點(diǎn)下方025m18dm至O點(diǎn)上方0.05m的范田內(nèi)有粒子射出電場。(2)如圖1，粒子射出電場的速度都是相同的，方向垂汽于向下的速度，人小為與=97=1x10m/s,所以射出速度大小為v=√+=√2x10m/s,an0=立=1,0=45°，則dm 38=m,解得r=0m,x=03-2r=3--m2010(3)要使射出電場的粒子能夠交于圓形磁場區(qū)域邊界一個(gè)點(diǎn)上且區(qū)域半徑最小時(shí)，磁場區(qū)域直徑與粒子射出范圍的寬度相等，如圖2，

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32:(1)AABbF,植株在減數(shù)分裂過程中，等位基因B、b隨同源染色體的分離而分開，形成AB、Ab兩種獨(dú)立的配子(2)紅稈：粉稈：白稈=1：1：23/8(3)低溫抑制紡錘體形成，使正在分裂的細(xì)胞染色體數(shù)目加倍三倍體植株在減數(shù)分裂過程中聯(lián)會絮亂，不能形成正常的配子

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