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全國100所名校單元測試卷。歷史

7.D解析：晶體硅為良好的半導(dǎo)體材料，是制造太陽能電池的主要原料、A錯(cuò)澳，隔熱陶瓷瓦能夠耐高溫，屬于無機(jī)非金屬材料，B錯(cuò)誤，碳奸維的主要成分為碳，不屬于金屬材料，C錯(cuò)誤；水電解產(chǎn)生氧氣，化合價(jià)升高，發(fā)生氧化反應(yīng)，D正確；故選D。

全國100所名校高考模擬卷理綜

35.(15分)答案：(1)5s5p(1分)C1>P>S(1分)(2)4(1分)小(2分(3)3:1(2分)非極性(1分)(4)NC1為離子晶體，TiC1,為分子晶體(2分)(5)41分)(0,0,1-2)2分)合+（號(hào)-b)2分）解析：(1)碘為第五周期第A族元家，基態(tài)I原子最外層有？個(gè)電子，價(jià)電子排布式為5s5p:同周期主族元素從左到右第一電離能總趨勢逐漸增大，但是第VA族反常，故第一電離能由大到小順序?yàn)镃>P>S。(2)0為sp雜化·價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4：0F:和OC1為等電子體，兩者0均為sp雜化，二者均為V形結(jié)構(gòu)，且都有兩對(duì)弧電子對(duì)，電負(fù)性：F>(O>(C1,則O一F成鍵電子對(duì)偏向于F原子，O一C1成鍵電子對(duì)偏向于0原子，0一F由0原子周圖電子云密度減小，斥力較小，0一C中0原子周圍電子云密度增大，斥力增大，斷以O(shè)F中F-O一F的鏈角小于OC,中C0-C的鍵角，《3)COC分子中存在碳氧雙健，故分子中。健與x鍵的個(gè)數(shù)比為311：SF,價(jià)層電子對(duì)數(shù)為6,沒有孤對(duì)電子，空間結(jié)構(gòu)對(duì)稱，為非極性分子，(4)由TCL熔沸點(diǎn)較低可知其為分子品體，氯化的為離子品體，故熔沸點(diǎn)差別軟大，5)圖中大球的個(gè)數(shù)為8×號(hào)十1=2，小球的個(gè)數(shù)為8×子+2=4，根據(jù)Xe5的原子個(gè)數(shù)比知大球是Xe原子，小球是F原子，故F原子數(shù)為4個(gè)：由M點(diǎn)坐標(biāo)知該原子位于品胞的中心，且每個(gè)坐標(biāo)軸的單位長度都記為1，則N點(diǎn)在棱的(1-)處，其坐標(biāo)為[0,0,1-)門圖中P是由M點(diǎn)向N點(diǎn)所在的棱上做的一條垂線，垂點(diǎn)記作Q,N與Q之間的距離記作m,N與M之間的距離一b,所以9=m+=√+（-6）pn

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